Hergestellt mit der neuesten Technologie und ist darauf ausgelegt, beispiellose Zuverlässigkeit und gleichbleibende Leistung zu bieten. Thermal Oxide Dry and Wet ist ein unverzichtbares Werkzeug für Halbleiterhersteller weltweit, da es eine effiziente Möglichkeit zur Herstellung hochwertiger Wafer bietet, die alle anspruchsvollen Anforderungen der Branche erfüllen.

 

Einer der Hauptvorteile von Thermal Oxide Dry and Wet ist seine Fähigkeit, eine hochwertige Oxidschicht auf der Oberfläche des Wafers zu erzeugen. Diese Oxidschicht ist wichtig, um das Silizium vor Verunreinigungen zu schützen und sicherzustellen, dass die Schaltkreise auf dem Wafer ordnungsgemäß isoliert sind. Die Oxidschicht sorgt außerdem für eine hervorragende Filmqualität und Gleichmäßigkeit, was für die Herstellung hochwertiger Wafer unerlässlich ist.

 

Ein weiterer Vorteil von Thermal Oxide Dry and Wet besteht darin, dass es sich um ein umweltfreundliches Produkt handelt. Es ist darauf ausgelegt, die Auswirkungen auf die Umwelt zu minimieren und im gesamten Herstellungsprozess weniger Ressourcen zu verbrauchen. Dies macht es zu einer idealen Lösung für Unternehmen, die sich für nachhaltige und umweltfreundliche Produktionspraktiken einsetzen.

 

Wir können einen Durchmesser von 2"-12, eine Oxidschichtdicke von 30-1000nm liefern, können ultradicke Spezifikationen von 1-20um und Gleichmäßigkeit verarbeiten

 

http://de.sibranchwafer.com/